Не дозвонились? Нажимайте!

Модуль последовательного интерфейса 1SI

Режимы работы модуля 1SI определяются параметрами его настройки. Эти параметры загружаются в модуль ведущим DP-устройством. С помощью этих параметров может быть определен протокол и скорость передачи данных, режимы контроля целостности данных, формат данных и т.д. Для управления передачей данных с поддержкой протоколов ASCII/3964(R) используются функциональные блоки P_SEND и P_RCV. P_SEND поддерживает выполнение операций приема данных из SIMATIC S7 и их передачу через последовательный канал модуля 1 SI. Функциональный блок P_RCV обеспечивает возможность приема данных из последовательного канала модуля 1 SI и их передачу в SIMATIC S7. Для обмена данными в режиме ведущего устройства сети MODBUS используются функциональные блоки S_SEND и S_RCV. Одно ведущее устройство способно обслуживать до 32 ведомых устройств. В режиме ведомого устройства сети MODBUS для обмена данными используется функциональный блок S_MODB. С помощью USS протокола один модуль 1 SI способен управлять работой до 30 преобразователей частоты. Для управления передачей данных используется три функциональных блока. Блоки S_USST и S_USSR обеспечивают возможность управления передачей данных. Блок S_USSI является необязательным и используется для определения полей данных для набора одинаковых ведомых устройств

Документация для Модуль последовательного интерфейса 1SI (формат Adobe PDF)

PDFДокументация для ET 200s (8Мб)


  • «« В начало
  • « Предыдущая
  • 1
  • Следующая »
  • В конец »»
Результаты 1 - 2 из 2
Наши преимущества
  • Мы авторизованный дистрибьютор Siemens
  • У нас большой склад с постоянно пополняемой номенклатурой
  • Скидки для постоянных клиентов
  • Доставка по России
  • Профессиональные консультации и техническая поддержка
  • Минимальные сроки поставки для заказного оборудования
Это интересно

Токи короткого замыкания, как правило, показывают очень высокое первое максимальное значение, так называемый ударный ток короткого замыкания. Его магнитное силовое действие ведет к экстремальной нагрузке проводников, их держателей и изоляции.

Читать дальше…